AIアクセラレータ、HBM、先端ロジックなどで半導体の高密度化が進むほど、ウェハ段階で電気特性を確認するテスト工程の重要性は高まります。SEMIが2026年7月に公表した年央予測では、半導体テスト装置市場は2026年に前年比31.0％増の153億ドルへ拡大する見通しです。これはChina2JPや特定メーカーの実績ではありませんが、テスタ本体に加え、ウェハとATEを接続するプローブカードやテストインターフェースにも高い要求がかかる調達環境を示す材料です。
プローブカードは仕様表だけで比較できる汎用品ではありません。対象デバイスのPad／Bump配置、ピッチ、ピン数、電流、周波数、温度、並列測定数、テスタ、ウェハプローバまで整合して初めて機能します。中国から調達する場合も、カード単体価格ではなく、接触安定性、測定再現性、セットアップ、清掃、修理、寿命管理まで含めた総試験コストで評価することが重要です。
見積前に固定するウェハ情報とテスト条件
最初にRFQの入力条件をそろえます。機密情報を全面開示できない場合は、NDA下で必要情報を段階的に共有します。
- ウェハ径、ダイサイズ、Pad／Bump map
- Pad材質、Cu pillar、micro-bump、はんだ等の表面条件
- 最小ピッチ、Pad寸法、高さばらつき
- 総ピン数、電源／GND／信号構成
- 測定電流、電圧、周波数、RF要否
- 試験温度、チャック温度範囲
- Single-site／Multi-siteと目標並列数
- 使用ATE、test head、ウェハプローバの型式・インターフェース
「300mm対応」「MEMS対応」だけでは比較できません。Pad map、tester resource、probe force、許容scrub markまで一つの仕様書にまとめます。
MEMS・垂直型・カンチレバーは用途で選ぶ
微細ピッチと高ピン数ではプローブ構造を見る
プローブカードにはカンチレバー、垂直型、MEMSなど複数方式があります。FormFactorの公開製品でも、微細ピッチ、低荷重、高並列、Cu pillar対応など重点が異なります。方式名だけで優劣を決めず、対象Pad/Bumpと試験条件に対して接触方式が適切かを確認します。
参考：FormFactor｜TrueScale、FormFactor｜Apollo
Scrub markとプローブ荷重をセットで確認する
接触跡が大き過ぎるとPad損傷や後工程への影響が問題になります。一方、荷重を下げ過ぎれば表面状態によって接触抵抗が不安定になる場合があります。1プローブ当たりの荷重だけでなく、overtravel、scrub方向、接触痕寸法、評価温度を同時に確認します。
電気特性はCRESだけでなく高速信号まで評価する
プローブカードは測定系の一部です。CRES（Contact Resistance）に加え、電流容量、電圧降下、リーケージ、クロストーク、インピーダンス、高速I/O、RF特性などをDUT要求に合わせて確認します。
- CRES初期値とtouchdown回数による変化
- 最大電流・瞬時電流と電源/GND針配置
- リーケージ、絶縁、ノイズ
- 高速I/Oの伝送路・インピーダンス・Sパラメータ要否
- カード上受動部品の実装条件
- テスタ側Pogo／DUT interfaceとの接続
AdvantestもV93000向けDUT interfaceについて、高並列試験ではprobe card／DUT board側の実装スペースや接続構成が制約になり得ることを示しています。ATEだけでなく接続系全体で設計する必要があります。
参考：Advantest｜V93000 DUT Scale Duo Interface
Multi-siteはサイト数より実効スループットで判断する
多サイト化はテスト時間短縮に有効ですが、site数を増やすだけでは不十分です。全DUTへ均一に接触できるplanarity、電源容量、tester resource、温度分布、failure rate、retest率まで合わせて評価します。
量産前には連続touchdownでのcontact stability、site別測定差、cleaning前後の変化を記録します。並列数が多くても接触不良による再測定が増えれば実効スループットは改善しません。
ATE・ウェハプローバとの機械インターフェースを実機合わせする
カード外形、補強板、ドッキング機構、カード厚み、Z高さ、位置決め基準、プローバ側ホルダーを図面で確認します。既存ラインへの置換では、現行カードの図面、tester interface、prober setup情報と比較し、機械互換だけでなくoffsetやrecipe変更の有無も確認します。
FAT・受入検査はGolden Waferとデータで合否を決める
プローブカードは外観だけでは性能を判断できません。出荷前検査では、顕微鏡写真と測定データを組み合わせて受入条件を固定します。
- Probe tipのXYZ位置、planarity、針先状態
- 導通、絶縁、接触抵抗
- 指定overtravelでのscrub mark
- 温度条件別の接触安定性
- 連続touchdown試験
- Multi-siteでのsite間差
- 基準ウェハ／Golden Waferでの相関データ
- シリアル番号、BOM版、図面版、検査レポートの紐付け
日本側と中国側でtesterやproberが異なる場合は、相関方法を事前に決めます。「工場でPASS」だけでなく、使用fixture、温度、recipe、測定条件を残します。
清掃・修理・再調整まで発注前に確認する
使用に伴って汚れ、摩耗、位置ずれが発生するため、新品性能だけでなく日常cleaning、probe交換、repair、re-planarization、再校正の窓口とリードタイムを確認します。
- 推奨cleaning mediaと清掃頻度
- 現場交換可能部品の範囲
- 修理時の中国返送要否
- 交換probe／probe headの供給条件
- 図面・設定・検査データの版管理
- 故障解析レポートの提出範囲
中国サプライヤー比較で見る製造・品質管理
候補先の営業資料だけでなく、PCB／space transformer、probe head、MEMS部品、精密組立、顕微鏡検査、電気測定、planarity調整のうち、どの工程を自社で持ち、どこを外注しているかを確認します。試作からリピート品へ移行する際の部材変更ルール、主要材料の代替承認、設計データ保管、シリアル追跡も発注条件に入れます。
China2JPが支援できること
China2JPでは、日本企業向けの中国調達窓口として、候補サプライヤー調査、RFQ条件整理、中国語での仕様確認、見積比較、試作進行、FAT条件調整、出荷前確認、国際物流まで案件に応じて支援します。仕様依存性が高い案件では、型番だけで問い合わせず、開示可能な技術条件を整理してから候補先へ確認します。
中国調達全体の進め方は中国OEM・中国輸入代行、半導体搬送系は中国半導体EFEM・ウェハ搬送装置調達もあわせてご覧ください。
よくある質問
Q1. 図面だけで見積できますか？
概算可能な場合はありますが、正式設計にはPad/Bump map、ピッチ、ピン数、電気条件、温度、ATE・prober情報などが必要です。
Q2. MEMSなら必ず微細ピッチに有利ですか？
MEMSは微細化・高密度化に利用されますが、Pad/Bump、電流、温度、保守性、コストで適切な構造は変わります。方式名だけでは採否を決められません。
Q3. 中国製カードを既存ATEへそのまま載せ替えできますか？
test head、DUT interface、prober、カード外形、Z高さ、電気配線、recipeの互換確認が必要です。
Q4. 受入時に最低限必要なデータは？
Probe tip位置・planarity、導通・絶縁・CRES、scrub mark、指定温度での接触、可能であればGolden Waferでの相関結果を確認します。
Q5. China2JPは半導体テスト部材でも工場調査から対応できますか？
候補先調査、仕様確認、見積比較、試作進行、FAT条件調整、出荷確認など、開示可能な技術情報と案件条件を確認したうえで対応範囲をご案内します。
日本企業向け・中国現地ワンストップ支援
中国半導体プローブカード調達について、工場選定から日本納品まで無料相談
商品URL、写真、図面、BOM、希望数量のいずれかをご共有ください。中国現地での候補工場調査、価格・MOQ・仕様交渉、サンプル、量産管理、検品、国際物流まで、案件に必要な進め方を日本語で整理します。
- ✓候補工場の調査・比較・第二サプライヤー開拓
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初回相談・工場リサーチは無料です。原則1営業日以内に日本語で返信します。
